MDD3N50GRH Todos los transistores

 

MDD3N50GRH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MDD3N50GRH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm

Encapsulados: TO-252

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MDD3N50GRH datasheet

 ..1. Size:746K  magnachip
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MDD3N50GRH

MDD3N50G N-Channel MOSFET 500V, 2.8 A, 2.5 General Description Features The MDD3N50G uses advanced Magnachip s V = 500V DS MOSFET Technology, which provides low on-state @VGS = 10V ID = 2.8A resistance, high switching performance and @V = 10V R 2.5 DS(ON) GS excellent quality. MDD3N50G is suitable device for SMPS, HID and general purpose applications. App

 9.1. Size:907K  magnachip
 mdd3n40rh.pdf pdf_icon

MDD3N50GRH

MDD3N40 N-Channel MOSFET 400V, 2.0A, 3.4 General Description Features The MDD3N40 use advanced Magnachip s V = 400V DS MOSFET Technology, which provides low on-state I = 2.0A @V = 10V D GS resistance, high switching performance and RDS(ON) 3.4 @VGS = 10V excellent quality. MDD3N40 are suitable device for SMPS and Applications general purpose appli

Otros transistores... MDD1903RH , MDD1904RH , MDD1951RH , MDD2N60RH , MDD3752ARH , MDD3752RH , MDD3754RH , MDD3N40RH , MMIS60R580P , MDD4N20YRH , MDD4N25RH , MDD4N60BRH , MDD5N40RH , MDD5N50FRH , MDD5N50RH , MDD5N50ZRH , MDD6N60GRH .

History: APT12045L2VR | APT12040JVFR | APT12040JLL

 

 

 

 

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