MDD3N50GRH - описание и поиск аналогов

 

MDD3N50GRH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MDD3N50GRH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MDD3N50GRH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDD3N50GRH даташит

 ..1. Size:746K  magnachip
 mdd3n50grh.pdf pdf_icon

MDD3N50GRH

MDD3N50G N-Channel MOSFET 500V, 2.8 A, 2.5 General Description Features The MDD3N50G uses advanced Magnachip s V = 500V DS MOSFET Technology, which provides low on-state @VGS = 10V ID = 2.8A resistance, high switching performance and @V = 10V R 2.5 DS(ON) GS excellent quality. MDD3N50G is suitable device for SMPS, HID and general purpose applications. App

 9.1. Size:907K  magnachip
 mdd3n40rh.pdf pdf_icon

MDD3N50GRH

MDD3N40 N-Channel MOSFET 400V, 2.0A, 3.4 General Description Features The MDD3N40 use advanced Magnachip s V = 400V DS MOSFET Technology, which provides low on-state I = 2.0A @V = 10V D GS resistance, high switching performance and RDS(ON) 3.4 @VGS = 10V excellent quality. MDD3N40 are suitable device for SMPS and Applications general purpose appli

Другие MOSFET... MDD1903RH , MDD1904RH , MDD1951RH , MDD2N60RH , MDD3752ARH , MDD3752RH , MDD3754RH , MDD3N40RH , MMIS60R580P , MDD4N20YRH , MDD4N25RH , MDD4N60BRH , MDD5N40RH , MDD5N50FRH , MDD5N50RH , MDD5N50ZRH , MDD6N60GRH .

History: F25F60CPM | IPA60R125CP

 

 

 

 

↑ Back to Top
.