Справочник MOSFET. MDD3N50GRH

 

MDD3N50GRH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDD3N50GRH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MDD3N50GRH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:746K  magnachip
 mdd3n50grh.pdf pdf_icon

MDD3N50GRH

MDD3N50G N-Channel MOSFET 500V, 2.8 A, 2.5 General Description Features The MDD3N50G uses advanced Magnachips V = 500V DSMOSFET Technology, which provides low on-state @VGS = 10V ID = 2.8A resistance, high switching performance and @V = 10V R 2.5 DS(ON) GSexcellent quality. MDD3N50G is suitable device for SMPS, HID and general purpose applications. App

 9.1. Size:907K  magnachip
 mdd3n40rh.pdf pdf_icon

MDD3N50GRH

MDD3N40 N-Channel MOSFET 400V, 2.0A, 3.4 General Description Features The MDD3N40 use advanced Magnachips V = 400V DSMOSFET Technology, which provides low on-state I = 2.0A @V = 10V D GSresistance, high switching performance and RDS(ON) 3.4 @VGS = 10V excellent quality. MDD3N40 are suitable device for SMPS and Applications general purpose appli

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: GT12N06S | NCEP018N60 | 2SK3572-Z | 7N60DS | TMP16N25Z | HGD045NE4SL | MMN4414

 

 
Back to Top

 


 
.