Справочник MOSFET. MDD3N50GRH

 

MDD3N50GRH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MDD3N50GRH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 6.75 nC
   Время нарастания (tr): 22 ns
   Выходная емкость (Cd): 25 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для MDD3N50GRH

 

 

MDD3N50GRH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:746K  magnachip
 mdd3n50grh.pdf

MDD3N50GRH MDD3N50GRH

MDD3N50G N-Channel MOSFET 500V, 2.8 A, 2.5 General Description Features The MDD3N50G uses advanced Magnachips V = 500V DSMOSFET Technology, which provides low on-state @VGS = 10V ID = 2.8A resistance, high switching performance and @V = 10V R 2.5 DS(ON) GSexcellent quality. MDD3N50G is suitable device for SMPS, HID and general purpose applications. App

 9.1. Size:907K  magnachip
 mdd3n40rh.pdf

MDD3N50GRH MDD3N50GRH

MDD3N40 N-Channel MOSFET 400V, 2.0A, 3.4 General Description Features The MDD3N40 use advanced Magnachips V = 400V DSMOSFET Technology, which provides low on-state I = 2.0A @V = 10V D GSresistance, high switching performance and RDS(ON) 3.4 @VGS = 10V excellent quality. MDD3N40 are suitable device for SMPS and Applications general purpose appli

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top