MDD7N20CRH Todos los transistores

 

MDD7N20CRH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDD7N20CRH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46.9 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.69 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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MDD7N20CRH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:792K  magnachip
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MDD7N20CRH

MDD7N20C N-Channel MOSFET 200V, 5.0A, 0.69General Description Features The MDD7N20C uses advanced Magnachips VDS = 200V MOSFET Technology, which provides low on-state ID = 5.0A resistance, high switching performance and @VGS = 10V RDS(ON) 0.69 excellent quality. MDD7N20C is suitable device for SMPS, HID and general purpose applications. Applications Power S

 8.1. Size:806K  magnachip
 mdd7n25rh.pdf pdf_icon

MDD7N20CRH

MDD7N25 N-Channel MOSFET 250V, 6.2A, 0.55 General Description Features The MDDN25 uses advanced Magnachips V = 250V DSMOSFET Technology, which provides low on-state I = 6.2A Dresistance, high switching performance and RDS(ON) 0.55 @VGS = 10V excellent quality. MDD7N25 is suitable device for SMPS, HID and general purpose applications. Applicatio

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History: APT50M65LFLL | BUZ31H | AP4028GEMT | GSM2376

 

 
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