Справочник MOSFET. MDD7N20CRH

 

MDD7N20CRH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDD7N20CRH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 46.9 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.69 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MDD7N20CRH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDD7N20CRH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:792K  magnachip
 mdd7n20crh.pdf pdf_icon

MDD7N20CRH

MDD7N20C N-Channel MOSFET 200V, 5.0A, 0.69General Description Features The MDD7N20C uses advanced Magnachips VDS = 200V MOSFET Technology, which provides low on-state ID = 5.0A resistance, high switching performance and @VGS = 10V RDS(ON) 0.69 excellent quality. MDD7N20C is suitable device for SMPS, HID and general purpose applications. Applications Power S

 8.1. Size:806K  magnachip
 mdd7n25rh.pdf pdf_icon

MDD7N20CRH

MDD7N25 N-Channel MOSFET 250V, 6.2A, 0.55 General Description Features The MDDN25 uses advanced Magnachips V = 250V DSMOSFET Technology, which provides low on-state I = 6.2A Dresistance, high switching performance and RDS(ON) 0.55 @VGS = 10V excellent quality. MDD7N25 is suitable device for SMPS, HID and general purpose applications. Applicatio

Другие MOSFET... MDD4N20YRH , MDD4N25RH , MDD4N60BRH , MDD5N40RH , MDD5N50FRH , MDD5N50RH , MDD5N50ZRH , MDD6N60GRH , IRF740 , MDD7N25RH , MDD9N40RH , MDE1752RH , MDF10N50TH , MDF10N60BTH , MDF10N60GTH , MDF10N65BTH , MDF11N60TH .

 

 
Back to Top

 


 
.