MDD7N25RH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MDD7N25RH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 77.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MDD7N25RH

MDD7N25RH Datasheet (PDF)

..1. Size:806K magnachip
mdd7n25rh.pdf

MDD7N25 N-Channel MOSFET 250V, 6.2A, 0.55 General Description Features The MDDN25 uses advanced Magnachips V = 250V DSMOSFET Technology, which provides low on-state I = 6.2A Dresistance, high switching performance and RDS(ON) 0.55 @VGS = 10V excellent quality. MDD7N25 is suitable device for SMPS, HID and general purpose applications. Applicatio

8.1. Size:792K magnachip
mdd7n20crh.pdf

MDD7N20C N-Channel MOSFET 200V, 5.0A, 0.69General Description Features The MDD7N20C uses advanced Magnachips VDS = 200V MOSFET Technology, which provides low on-state ID = 5.0A resistance, high switching performance and @VGS = 10V RDS(ON) 0.69 excellent quality. MDD7N20C is suitable device for SMPS, HID and general purpose applications. Applications Power S

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Liste

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