MDD7N25RH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MDD7N25RH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 43 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 77.5 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
Тип корпуса: TO-252
MDD7N25RH Datasheet (PDF)
mdd7n25rh.pdf
MDD7N25 N-Channel MOSFET 250V, 6.2A, 0.55 General Description Features The MDDN25 uses advanced Magnachips V = 250V DSMOSFET Technology, which provides low on-state I = 6.2A Dresistance, high switching performance and RDS(ON) 0.55 @VGS = 10V excellent quality. MDD7N25 is suitable device for SMPS, HID and general purpose applications. Applicatio
mdd7n20crh.pdf
MDD7N20C N-Channel MOSFET 200V, 5.0A, 0.69General Description Features The MDD7N20C uses advanced Magnachips VDS = 200V MOSFET Technology, which provides low on-state ID = 5.0A resistance, high switching performance and @VGS = 10V RDS(ON) 0.69 excellent quality. MDD7N20C is suitable device for SMPS, HID and general purpose applications. Applications Power S
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918