MDD9N40RH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDD9N40RH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75.6 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MDD9N40RH MOSFET
MDD9N40RH Datasheet (PDF)
mdd9n40rh.pdf

MDD9N40 N-Channel MOSFET 400V, 6A, 0.85General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced VDS = 400V MagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- ID = 6A @ VGS = 10V state resistance, high switching performance and excellent RDS(ON) 0.85 @ VGS = 10V quality. Applications These devices are suitable device for SMPS, high Speed s
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History: MDF13N50BTH | IXTH130N10T
History: MDF13N50BTH | IXTH130N10T



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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