Справочник MOSFET. MDD9N40RH

 

MDD9N40RH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDD9N40RH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75.6 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MDD9N40RH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:834K  magnachip
 mdd9n40rh.pdf pdf_icon

MDD9N40RH

MDD9N40 N-Channel MOSFET 400V, 6A, 0.85General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced VDS = 400V MagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- ID = 6A @ VGS = 10V state resistance, high switching performance and excellent RDS(ON) 0.85 @ VGS = 10V quality. Applications These devices are suitable device for SMPS, high Speed s

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CET04N10 | H5N2004DS

 

 
Back to Top

 


 
.