Справочник MOSFET. MDD9N40RH

 

MDD9N40RH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDD9N40RH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 9.6 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75.6 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MDD9N40RH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDD9N40RH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:834K  magnachip
 mdd9n40rh.pdf pdf_icon

MDD9N40RH

MDD9N40 N-Channel MOSFET 400V, 6A, 0.85General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced VDS = 400V MagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- ID = 6A @ VGS = 10V state resistance, high switching performance and excellent RDS(ON) 0.85 @ VGS = 10V quality. Applications These devices are suitable device for SMPS, high Speed s

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IXFN48N50U3

 

 
Back to Top

 


 
.