MDE1752RH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDE1752RH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 66 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 243 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Encapsulados: TO-263AB
Búsqueda de reemplazo de MDE1752RH MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
MDE1752RH datasheet
mde1752rh.pdf
MDE1752 N-Channel Trench MOSFET 40V, 66A, 8.0m General Description Features The MDE1752 uses advanced MagnaChip s trench V = 40V DS MOSFET Technology to provide high performance in on- I = 66A @V = 10V D GS state resistance, switching performance and reliability R DS(ON)
Otros transistores... MDD5N40RH , MDD5N50FRH , MDD5N50RH , MDD5N50ZRH , MDD6N60GRH , MDD7N20CRH , MDD7N25RH , MDD9N40RH , IRF540N , MDF10N50TH , MDF10N60BTH , MDF10N60GTH , MDF10N65BTH , MDF11N60TH , MDF11N65BTH , MDF12N50BTH , MDF12N50FTH .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
2sa1360 | p60nf06 datasheet | 2sc4468 | ru6888r | 2sc1815y | ktc3964 | s9013 transistor equivalent | 60n60 mosfet
