Справочник MOSFET. MDE1752RH

 

MDE1752RH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDE1752RH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 66 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 26.4 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 243 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO-263AB
 

 Аналог (замена) для MDE1752RH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDE1752RH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:666K  magnachip
 mde1752rh.pdf pdf_icon

MDE1752RH

MDE1752 N-Channel Trench MOSFET 40V, 66A, 8.0m General Description Features The MDE1752 uses advanced MagnaChips trench V = 40V DSMOSFET Technology to provide high performance in on- I = 66A @V = 10V D GSstate resistance, switching performance and reliability R DS(ON)

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.