MDE1752RH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MDE1752RH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 66 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 243 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO-263AB
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
MDE1752RH Datasheet (PDF)
mde1752rh.pdf

MDE1752 N-Channel Trench MOSFET 40V, 66A, 8.0m General Description Features The MDE1752 uses advanced MagnaChips trench V = 40V DSMOSFET Technology to provide high performance in on- I = 66A @V = 10V D GSstate resistance, switching performance and reliability R DS(ON)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: IXTM4N90A | R6535KNZ1 | IRFU430A | VSE002N03MS-G | SSM4435M | SM4616PRL | 2SK3430-ZJ
History: IXTM4N90A | R6535KNZ1 | IRFU430A | VSE002N03MS-G | SSM4435M | SM4616PRL | 2SK3430-ZJ



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sa1360 | p60nf06 datasheet | 2sc4468 | ru6888r | 2sc1815y | ktc3964 | s9013 transistor equivalent | 60n60 mosfet