Справочник MOSFET. MDE1752RH

 

MDE1752RH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDE1752RH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 66 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 243 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO-263AB
 

 Аналог (замена) для MDE1752RH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDE1752RH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:666K  magnachip
 mde1752rh.pdf pdf_icon

MDE1752RH

MDE1752 N-Channel Trench MOSFET 40V, 66A, 8.0m General Description Features The MDE1752 uses advanced MagnaChips trench V = 40V DSMOSFET Technology to provide high performance in on- I = 66A @V = 10V D GSstate resistance, switching performance and reliability R DS(ON)

Другие MOSFET... MDD5N40RH , MDD5N50FRH , MDD5N50RH , MDD5N50ZRH , MDD6N60GRH , MDD7N20CRH , MDD7N25RH , MDD9N40RH , IRF540 , MDF10N50TH , MDF10N60BTH , MDF10N60GTH , MDF10N65BTH , MDF11N60TH , MDF11N65BTH , MDF12N50BTH , MDF12N50FTH .

 

 
Back to Top

 


 
.