MDE1752RH - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MDE1752RH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 66 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 243 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO-263AB
Аналог (замена) для MDE1752RH
MDE1752RH Datasheet (PDF)
mde1752rh.pdf
MDE1752 N-Channel Trench MOSFET 40V, 66A, 8.0m General Description Features The MDE1752 uses advanced MagnaChips trench V = 40V DSMOSFET Technology to provide high performance in on- I = 66A @V = 10V D GSstate resistance, switching performance and reliability R DS(ON)
Другие MOSFET... MDD5N40RH , MDD5N50FRH , MDD5N50RH , MDD5N50ZRH , MDD6N60GRH , MDD7N20CRH , MDD7N25RH , MDD9N40RH , IRF540N , MDF10N50TH , MDF10N60BTH , MDF10N60GTH , MDF10N65BTH , MDF11N60TH , MDF11N65BTH , MDF12N50BTH , MDF12N50FTH .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGMH022N10LL | AGMH022N10H | AGM85P10D | AGM85P10A | AGM7N65D | AGM6N20D | AGM665E | AGM665D | AGM65R380F | AGM655D | AGM628S | AGM628MN | AGM628MD | AGM628MAP | AGM628M | AGM4025D
Popular searches
2sa1360 | p60nf06 datasheet | 2sc4468 | ru6888r | 2sc1815y | ktc3964 | s9013 transistor equivalent | 60n60 mosfet


