MDF15N60GTH Todos los transistores

 

MDF15N60GTH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MDF15N60GTH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 86 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 258 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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MDF15N60GTH datasheet

 ..1. Size:1198K  magnachip
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MDF15N60GTH

MDP15N60G / MDF15N60G N-Channel MOSFET 600V, 15A, 0.40 General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced V = 600V DS MagnaChip s MOSFET Technology, which provides low on- I = 15A @ V = 10V D GS state resistance, high switching performance and excellent R 0.40 @ V = 10V DS(ON) GS quality. Applications These devices are sui

Otros transistores... MDF10N65BTH , MDF11N60TH , MDF11N65BTH , MDF12N50BTH , MDF12N50FTH , MDF13N50BTH , MDF13N50GTH , MDF13N65BTH , IRFB4227 , MDF16N50GTH , MDF18N50BTH , MDF1903TH , MDF2N60BTH , MDF2N60TH , MDF2N60TP , MDF3752TH , MDF4N60BTH .

History: HM4606C | CRTS030N04L

 

 

 

 

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