MDF15N60GTH Todos los transistores

 

MDF15N60GTH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDF15N60GTH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 86 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 258 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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MDF15N60GTH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1198K  magnachip
 mdf15n60gth mdp15n60gth.pdf pdf_icon

MDF15N60GTH

MDP15N60G / MDF15N60G N-Channel MOSFET 600V, 15A, 0.40 General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced V = 600V DSMagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- I = 15A @ V = 10V D GSstate resistance, high switching performance and excellent R 0.40 @ V = 10V DS(ON) GSquality. Applications These devices are sui

Otros transistores... MDF10N65BTH , MDF11N60TH , MDF11N65BTH , MDF12N50BTH , MDF12N50FTH , MDF13N50BTH , MDF13N50GTH , MDF13N65BTH , IRF3710 , MDF16N50GTH , MDF18N50BTH , MDF1903TH , MDF2N60BTH , MDF2N60TH , MDF2N60TP , MDF3752TH , MDF4N60BTH .

History: STB6N52K3 | IRF7701GPBF

 

 
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