Справочник MOSFET. MDF15N60GTH

 

MDF15N60GTH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDF15N60GTH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 49 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 86 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 258 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDF15N60GTH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1198K  magnachip
 mdf15n60gth mdp15n60gth.pdf pdf_icon

MDF15N60GTH

MDP15N60G / MDF15N60G N-Channel MOSFET 600V, 15A, 0.40 General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced V = 600V DSMagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- I = 15A @ V = 10V D GSstate resistance, high switching performance and excellent R 0.40 @ V = 10V DS(ON) GSquality. Applications These devices are sui

Другие MOSFET... MDF10N65BTH , MDF11N60TH , MDF11N65BTH , MDF12N50BTH , MDF12N50FTH , MDF13N50BTH , MDF13N50GTH , MDF13N65BTH , AON6414A , MDF16N50GTH , MDF18N50BTH , MDF1903TH , MDF2N60BTH , MDF2N60TH , MDF2N60TP , MDF3752TH , MDF4N60BTH .

 

 
Back to Top

 


 
.