MDF16N50GTH Todos los transistores

 

MDF16N50GTH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDF16N50GTH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 49.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 88.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 226 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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MDF16N50GTH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1026K  magnachip
 mdf16n50gth mdp16n50gth.pdf pdf_icon

MDF16N50GTH

MDP16N50G / MDF16N50G N-Channel MOSFET 500V, 16.0 A, 0.35 General Description Features VDS = 500V These N-channel MOSFET are produced using advanced VDS = 550V @ Tjmax MagnaChips MOSFET Technology, which provides low on-ID = 16A @VGS = 10V state resistance, high switching performance and excellent RDS(ON) 0.35 @VGS = 10V quality. These devices are suitable d

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