MDF16N50GTH Todos los transistores

MDF16N50GTH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MDF16N50GTH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 49.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 88.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 226 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm

Encapsulados: TO-220F

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros