Справочник MOSFET. MDF16N50GTH

 

MDF16N50GTH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDF16N50GTH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 49.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 88.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 226 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MDF16N50GTH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1026K  magnachip
 mdf16n50gth mdp16n50gth.pdf pdf_icon

MDF16N50GTH

MDP16N50G / MDF16N50G N-Channel MOSFET 500V, 16.0 A, 0.35 General Description Features VDS = 500V These N-channel MOSFET are produced using advanced VDS = 550V @ Tjmax MagnaChips MOSFET Technology, which provides low on-ID = 16A @VGS = 10V state resistance, high switching performance and excellent RDS(ON) 0.35 @VGS = 10V quality. These devices are suitable d

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: GP28S50GN220FP | RU7550S | AUIRFZ34N | 2N6760JANTXV | NTHD3100C | IRLML9301TRPBF | STP20NM60FP

 

 
Back to Top

 


 
.