MDF1903TH Todos los transistores

 

MDF1903TH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MDF1903TH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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MDF1903TH datasheet

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MDF1903TH

MDF1903 Single N-channel Trench MOSFET 100V, 12A, 110m Features General Description The MDF1903 uses advanced MagnaChip s MOSFET V = 100V DS Technology, which provides high performance in on-state I = 12A @V = 10V D GS resistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) (MAX) quality. MDF1903 is suitable device for DC to DC

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