MDF1903TH Todos los transistores

 

MDF1903TH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDF1903TH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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MDF1903TH Datasheet (PDF)

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MDF1903TH

MDF1903 Single N-channel Trench MOSFET 100V, 12A, 110m Features General Description The MDF1903 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 100V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 12A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) (MAX)quality. MDF1903 is suitable device for DC to DC

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History: AP9926GO | AOL1426 | IXKH24N60C5

 

 
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