MDF1903TH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDF1903TH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33.8 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
Encapsulados: TO-220F
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MDF1903TH datasheet
mdf1903th.pdf
MDF1903 Single N-channel Trench MOSFET 100V, 12A, 110m Features General Description The MDF1903 uses advanced MagnaChip s MOSFET V = 100V DS Technology, which provides high performance in on-state I = 12A @V = 10V D GS resistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) (MAX) quality. MDF1903 is suitable device for DC to DC
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History: HM4606C | CRTS030N04L
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