MDF1903TH - описание и поиск аналогов

 

MDF1903TH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MDF1903TH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для MDF1903TH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDF1903TH даташит

 ..1. Size:1589K  magnachip
 mdf1903th.pdf pdf_icon

MDF1903TH

MDF1903 Single N-channel Trench MOSFET 100V, 12A, 110m Features General Description The MDF1903 uses advanced MagnaChip s MOSFET V = 100V DS Technology, which provides high performance in on-state I = 12A @V = 10V D GS resistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) (MAX) quality. MDF1903 is suitable device for DC to DC

Другие MOSFET... MDF12N50BTH , MDF12N50FTH , MDF13N50BTH , MDF13N50GTH , MDF13N65BTH , MDF15N60GTH , MDF16N50GTH , MDF18N50BTH , AON6414A , MDF2N60BTH , MDF2N60TH , MDF2N60TP , MDF3752TH , MDF4N60BTH , MDF4N60DTH , MDF4N60TH , MDF4N60TP .

History: HM45P02D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.