Справочник MOSFET. MDF1903TH

 

MDF1903TH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDF1903TH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MDF1903TH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1589K  magnachip
 mdf1903th.pdf pdf_icon

MDF1903TH

MDF1903 Single N-channel Trench MOSFET 100V, 12A, 110m Features General Description The MDF1903 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 100V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 12A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) (MAX)quality. MDF1903 is suitable device for DC to DC

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.