Справочник MOSFET. MDF1903TH

 

MDF1903TH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDF1903TH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для MDF1903TH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDF1903TH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1589K  magnachip
 mdf1903th.pdf pdf_icon

MDF1903TH

MDF1903 Single N-channel Trench MOSFET 100V, 12A, 110m Features General Description The MDF1903 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 100V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 12A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) (MAX)quality. MDF1903 is suitable device for DC to DC

Другие MOSFET... MDF12N50BTH , MDF12N50FTH , MDF13N50BTH , MDF13N50GTH , MDF13N65BTH , MDF15N60GTH , MDF16N50GTH , MDF18N50BTH , IRFB4110 , MDF2N60BTH , MDF2N60TH , MDF2N60TP , MDF3752TH , MDF4N60BTH , MDF4N60DTH , MDF4N60TH , MDF4N60TP .

History: KF5N60P | DH019N04B | NDF11N50Z | PZ2103NV | IRFP244A | MDF4N65BTH | 2SK4125

 

 
Back to Top

 


 
.