MDF8N60BTH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MDF8N60BTH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 18.1 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 108 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MDF8N60BTH

MDF8N60BTH Datasheet (PDF)

..1. Size:835K magnachip
mdf8n60bth.pdf

MDF8N60B N-Channel MOSFET 600V, 8A, 1.05General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced VDS = 600V MagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- ID = 8.0A @ VGS = 10V state resistance, high switching performance and excellent RDS(ON) 1.05 @ VGS = 10V quality. Applications These devices are suitable device for SMP

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Liste

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