MDF8N60BTH - аналоги и даташиты транзистора

 

MDF8N60BTH - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MDF8N60BTH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.05 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для MDF8N60BTH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDF8N60BTH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:835K  magnachip
 mdf8n60bth.pdf pdf_icon

MDF8N60BTH

MDF8N60B N-Channel MOSFET 600V, 8A, 1.05General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced VDS = 600V MagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- ID = 8.0A @ VGS = 10V state resistance, high switching performance and excellent RDS(ON) 1.05 @ VGS = 10V quality. Applications These devices are suitable device for SMP

Другие MOSFET... MDF5N50FTH , MDF5N50ZTH , MDF6N60BTH , MDF6N60TH , MDF6N65BTH , MDF7N50BTH , MDF7N60BTH , MDF7N65BTH , AON7410 , MDF9N50BTH , MDF9N50FTH , MDF9N60BTH , MDFS10N60DTH , MDFS4N65DTH , MDH3331RH , MDH3331RP , MDHT3N40URH .

 

 
Back to Top

 


 
.