Справочник MOSFET. MDF8N60BTH

 

MDF8N60BTH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDF8N60BTH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 18.1 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.05 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для MDF8N60BTH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDF8N60BTH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:835K  magnachip
 mdf8n60bth.pdf pdf_icon

MDF8N60BTH

MDF8N60B N-Channel MOSFET 600V, 8A, 1.05General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced VDS = 600V MagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- ID = 8.0A @ VGS = 10V state resistance, high switching performance and excellent RDS(ON) 1.05 @ VGS = 10V quality. Applications These devices are suitable device for SMP

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IRF513

 

 
Back to Top

 


 
.