MDFS10N60DTH Todos los transistores

 

MDFS10N60DTH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDFS10N60DTH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 168 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FS
     - Selección de transistores por parámetros

 

MDFS10N60DTH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:788K  magnachip
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MDFS10N60DTH

MDFS10N60D N-Channel MOSFET 600V, 10A, 0.75General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced VDS = 600V MagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- ID = 10A @ VGS = 10V state resistance, high switching performance and excellent RDS(ON) 0.75 @ VGS = 10V quality. Applications These devices are suitable device for SMPS, high Spee

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History: SVS65R380DD4TR | AOB418 | WVM13N50 | FDMQ8203 | SL3N06 | 2SJ665

 

 
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