MDFS10N60DTH Todos los transistores

 

MDFS10N60DTH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MDFS10N60DTH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 168 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm

Encapsulados: TO-220FS

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MDFS10N60DTH datasheet

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MDFS10N60DTH

MDFS10N60D N-Channel MOSFET 600V, 10A, 0.75 General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced VDS = 600V MagnaChip s MOSFET Technology, which provides low on- ID = 10A @ VGS = 10V state resistance, high switching performance and excellent RDS(ON) 0.75 @ VGS = 10V quality. Applications These devices are suitable device for SMPS, high Spee

Otros transistores... MDF6N65BTH , MDF7N50BTH , MDF7N60BTH , MDF7N65BTH , MDF8N60BTH , MDF9N50BTH , MDF9N50FTH , MDF9N60BTH , AON7410 , MDFS4N65DTH , MDH3331RH , MDH3331RP , MDHT3N40URH , MDHT4N20YURH , MDHT4N25URH , MDHT7N25URH , MDI1752TH .

History: IPD60R280P7S | TPC8003 | 2SJ529

 

 

 

 

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