Справочник MOSFET. MDFS10N60DTH

 

MDFS10N60DTH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDFS10N60DTH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 168 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FS
 

 Аналог (замена) для MDFS10N60DTH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDFS10N60DTH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:788K  magnachip
 mdfs10n60dth.pdf pdf_icon

MDFS10N60DTH

MDFS10N60D N-Channel MOSFET 600V, 10A, 0.75General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced VDS = 600V MagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- ID = 10A @ VGS = 10V state resistance, high switching performance and excellent RDS(ON) 0.75 @ VGS = 10V quality. Applications These devices are suitable device for SMPS, high Spee

Другие MOSFET... MDF6N65BTH , MDF7N50BTH , MDF7N60BTH , MDF7N65BTH , MDF8N60BTH , MDF9N50BTH , MDF9N50FTH , MDF9N60BTH , RFP50N06 , MDFS4N65DTH , MDH3331RH , MDH3331RP , MDHT3N40URH , MDHT4N20YURH , MDHT4N25URH , MDHT7N25URH , MDI1752TH .

 

 
Back to Top

 


 
.