MDFS4N65DTH Todos los transistores

 

MDFS4N65DTH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MDFS4N65DTH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 56 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.55 Ohm

Encapsulados: TO-220FS

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MDFS4N65DTH datasheet

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MDFS4N65DTH

MDFS4N65D N-Channel MOSFET 650V, 4.0A, 2.55 General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced VDS = 650V MagnaChip s MOSFET Technology, which provides low on- ID = 4.0A @ VGS = 10V state resistance, high switching performance and excellent RDS(ON) 2.55 @ VGS = 10V quality. Applications These devices are suitable device for SMPS, high Spe

Otros transistores... MDF7N50BTH , MDF7N60BTH , MDF7N65BTH , MDF8N60BTH , MDF9N50BTH , MDF9N50FTH , MDF9N60BTH , MDFS10N60DTH , 12N60 , MDH3331RH , MDH3331RP , MDHT3N40URH , MDHT4N20YURH , MDHT4N25URH , MDHT7N25URH , MDI1752TH , MDI1N60STH .

History: SMG2340N | MDF6N65BTH | BRCS50N06RA | HM18N40A | APM4425K

 

 

 

 

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