MDFS4N65DTH Todos los transistores

 

MDFS4N65DTH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDFS4N65DTH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 56 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.55 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FS
 

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MDFS4N65DTH Datasheet (PDF)

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MDFS4N65DTH

MDFS4N65D N-Channel MOSFET 650V, 4.0A, 2.55General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced VDS = 650V MagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- ID = 4.0A @ VGS = 10V state resistance, high switching performance and excellent RDS(ON) 2.55 @ VGS = 10V quality. Applications These devices are suitable device for SMPS, high Spe

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History: IPP110N20N3G | MDHT4N25URH | IPP080N03LG | JCS740FC | SST90R1K5S | AUIRFP4110 | IPS60R3K4CE

 

 
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