Справочник MOSFET. MDFS4N65DTH

 

MDFS4N65DTH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDFS4N65DTH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.55 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FS
 

 Аналог (замена) для MDFS4N65DTH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDFS4N65DTH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:789K  magnachip
 mdfs4n65dth.pdf pdf_icon

MDFS4N65DTH

MDFS4N65D N-Channel MOSFET 650V, 4.0A, 2.55General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced VDS = 650V MagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- ID = 4.0A @ VGS = 10V state resistance, high switching performance and excellent RDS(ON) 2.55 @ VGS = 10V quality. Applications These devices are suitable device for SMPS, high Spe

Другие MOSFET... MDF7N50BTH , MDF7N60BTH , MDF7N65BTH , MDF8N60BTH , MDF9N50BTH , MDF9N50FTH , MDF9N60BTH , MDFS10N60DTH , 4N60 , MDH3331RH , MDH3331RP , MDHT3N40URH , MDHT4N20YURH , MDHT4N25URH , MDHT7N25URH , MDI1752TH , MDI1N60STH .

History: FDD10N20LZTM | AFN4924 | AP9435GM-HF | BUK9M35-80E | FDC697PF077 | JBL112T | MDU1518URH

 

 
Back to Top

 


 
.