MDFS4N65DTH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MDFS4N65DTH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 17.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.55 Ohm
Тип корпуса: TO-220FS
Аналог (замена) для MDFS4N65DTH
MDFS4N65DTH Datasheet (PDF)
mdfs4n65dth.pdf

MDFS4N65D N-Channel MOSFET 650V, 4.0A, 2.55General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced VDS = 650V MagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- ID = 4.0A @ VGS = 10V state resistance, high switching performance and excellent RDS(ON) 2.55 @ VGS = 10V quality. Applications These devices are suitable device for SMPS, high Spe
Другие MOSFET... MDF7N50BTH , MDF7N60BTH , MDF7N65BTH , MDF8N60BTH , MDF9N50BTH , MDF9N50FTH , MDF9N60BTH , MDFS10N60DTH , 4N60 , MDH3331RH , MDH3331RP , MDHT3N40URH , MDHT4N20YURH , MDHT4N25URH , MDHT7N25URH , MDI1752TH , MDI1N60STH .
History: MDU1518URH | BUK9M34-100E
History: MDU1518URH | BUK9M34-100E



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTE6888A | JMTE3003A | JMTE3002B | JMTE068N07A | JMTE060N06A | JMTE035N06D | JMTE035N04A | JMTE025N04D | JMTE018N03A | JMTD3134K | JMTD2N7002KS | JMSL1509PG | JMSL10A13P | JMSL10A13L | JMSL10A13K | JMSL1010PU
Popular searches
2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b | 2n6121 | 2sc1312 | bf495 transistor equivalent | 2sc1313 | 2sb560 replacement