MDHT3N40URH Todos los transistores

 

MDHT3N40URH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDHT3N40URH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223
 

 Búsqueda de reemplazo de MDHT3N40URH MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MDHT3N40URH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1123K  magnachip
 mdht3n40urh.pdf pdf_icon

MDHT3N40URH

MDHT3N40 N-Channel MOSFET 400V, 1.5A, 3.4General Description Features The MDHT3N40 uses advanced Magnachips VDS = 400V MOSFET Technology, which provides low on-state @VGS = 10V ID = 1.5A resistance, high switching performance and @VGS = 10V RDS(ON) 3.4 excellent quality. MDHT3N40 is suitable device for SMPS, HID and general purpose applications. Applications

Otros transistores... MDF8N60BTH , MDF9N50BTH , MDF9N50FTH , MDF9N60BTH , MDFS10N60DTH , MDFS4N65DTH , MDH3331RH , MDH3331RP , AON7506 , MDHT4N20YURH , MDHT4N25URH , MDHT7N25URH , MDI1752TH , MDI1N60STH , MDI2N60 , MDI4N60BTH , MDI5N40TH .

History: AP6P090J

 

 
Back to Top

 


 
.