MDHT3N40URH Todos los transistores

 

MDHT3N40URH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MDHT3N40URH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.4 Ohm

Encapsulados: SOT-223

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MDHT3N40URH datasheet

 ..1. Size:1123K  magnachip
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MDHT3N40URH

MDHT3N40 N-Channel MOSFET 400V, 1.5A, 3.4 General Description Features The MDHT3N40 uses advanced Magnachip s VDS = 400V MOSFET Technology, which provides low on-state @VGS = 10V ID = 1.5A resistance, high switching performance and @VGS = 10V RDS(ON) 3.4 excellent quality. MDHT3N40 is suitable device for SMPS, HID and general purpose applications. Applications

Otros transistores... MDF8N60BTH , MDF9N50BTH , MDF9N50FTH , MDF9N60BTH , MDFS10N60DTH , MDFS4N65DTH , MDH3331RH , MDH3331RP , IRFB3607 , MDHT4N20YURH , MDHT4N25URH , MDHT7N25URH , MDI1752TH , MDI1N60STH , MDI2N60 , MDI4N60BTH , MDI5N40TH .

History: CRTD055N03L | APT56F60L

 

 

 

 

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