Справочник MOSFET. MDHT3N40URH

 

MDHT3N40URH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDHT3N40URH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 27 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.4 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для MDHT3N40URH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDHT3N40URH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1123K  magnachip
 mdht3n40urh.pdf pdf_icon

MDHT3N40URH

MDHT3N40 N-Channel MOSFET 400V, 1.5A, 3.4General Description Features The MDHT3N40 uses advanced Magnachips VDS = 400V MOSFET Technology, which provides low on-state @VGS = 10V ID = 1.5A resistance, high switching performance and @VGS = 10V RDS(ON) 3.4 excellent quality. MDHT3N40 is suitable device for SMPS, HID and general purpose applications. Applications

Другие MOSFET... MDF8N60BTH , MDF9N50BTH , MDF9N50FTH , MDF9N60BTH , MDFS10N60DTH , MDFS4N65DTH , MDH3331RH , MDH3331RP , AON7506 , MDHT4N20YURH , MDHT4N25URH , MDHT7N25URH , MDI1752TH , MDI1N60STH , MDI2N60 , MDI4N60BTH , MDI5N40TH .

History: NCEP0116AS | NCEP018N60D | 2SK3868

 

 
Back to Top

 


 
.