MDHT4N20YURH Todos los transistores

 

MDHT4N20YURH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDHT4N20YURH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.85 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 3.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42.7 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223
     - Selección de transistores por parámetros

 

MDHT4N20YURH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:901K  magnachip
 mdht4n20yurh.pdf pdf_icon

MDHT4N20YURH

MDHT4N20Y N-Channel MOSFET 200V, 0.85A, 1.35 General Description Features The MDHT4N20Y uses advanced Magnachips V = 200V DSMOSFET Technology, which provides low on-state I = 0.85A @V = 10V D GSresistance, high switching performance and RDS(ON) 1.35 @VGS = 10V excellent quality. MDHT4N20Y is suitable device for LED TV and general purpose applicat

 7.1. Size:878K  magnachip
 mdht4n25urh.pdf pdf_icon

MDHT4N20YURH

MDHT4N25 N-Channel MOSFET 250V, 0.83A, 1.75 General Description Features The MDHT4N25 uses advanced Magnachips V = 250V DSMOSFET Technology, which provides low on-state I = 0.83A Dresistance, high switching performance and RDS(ON) 1.75 @VGS = 10V excellent quality. Applications MDHT4N25 is suitable device for SMPS, HID and general purpose appli

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: BUK7219-55A | AP9960GM-HF | FDC86244 | FDWS9508L-F085 | INJ0312AC1 | IXTT30N60L2 | IRHN7250

 

 
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