MDHT4N20YURH Todos los transistores

 

MDHT4N20YURH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MDHT4N20YURH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.85 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42.7 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.35 Ohm

Encapsulados: SOT-223

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MDHT4N20YURH datasheet

 ..1. Size:901K  magnachip
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MDHT4N20YURH

MDHT4N20Y N-Channel MOSFET 200V, 0.85A, 1.35 General Description Features The MDHT4N20Y uses advanced Magnachip s V = 200V DS MOSFET Technology, which provides low on-state I = 0.85A @V = 10V D GS resistance, high switching performance and RDS(ON) 1.35 @VGS = 10V excellent quality. MDHT4N20Y is suitable device for LED TV and general purpose applicat

 7.1. Size:878K  magnachip
 mdht4n25urh.pdf pdf_icon

MDHT4N20YURH

MDHT4N25 N-Channel MOSFET 250V, 0.83A, 1.75 General Description Features The MDHT4N25 uses advanced Magnachip s V = 250V DS MOSFET Technology, which provides low on-state I = 0.83A D resistance, high switching performance and RDS(ON) 1.75 @VGS = 10V excellent quality. Applications MDHT4N25 is suitable device for SMPS, HID and general purpose appli

Otros transistores... MDF9N50BTH , MDF9N50FTH , MDF9N60BTH , MDFS10N60DTH , MDFS4N65DTH , MDH3331RH , MDH3331RP , MDHT3N40URH , AON6380 , MDHT4N25URH , MDHT7N25URH , MDI1752TH , MDI1N60STH , MDI2N60 , MDI4N60BTH , MDI5N40TH , MDI6N60BTH .

History: HM45N02D

 

 

 

 

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