Справочник MOSFET. MDHT4N20YURH

 

MDHT4N20YURH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDHT4N20YURH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.85 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 42.7 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.35 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для MDHT4N20YURH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDHT4N20YURH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:901K  magnachip
 mdht4n20yurh.pdf pdf_icon

MDHT4N20YURH

MDHT4N20Y N-Channel MOSFET 200V, 0.85A, 1.35 General Description Features The MDHT4N20Y uses advanced Magnachips V = 200V DSMOSFET Technology, which provides low on-state I = 0.85A @V = 10V D GSresistance, high switching performance and RDS(ON) 1.35 @VGS = 10V excellent quality. MDHT4N20Y is suitable device for LED TV and general purpose applicat

 7.1. Size:878K  magnachip
 mdht4n25urh.pdf pdf_icon

MDHT4N20YURH

MDHT4N25 N-Channel MOSFET 250V, 0.83A, 1.75 General Description Features The MDHT4N25 uses advanced Magnachips V = 250V DSMOSFET Technology, which provides low on-state I = 0.83A Dresistance, high switching performance and RDS(ON) 1.75 @VGS = 10V excellent quality. Applications MDHT4N25 is suitable device for SMPS, HID and general purpose appli

Другие MOSFET... MDF9N50BTH , MDF9N50FTH , MDF9N60BTH , MDFS10N60DTH , MDFS4N65DTH , MDH3331RH , MDH3331RP , MDHT3N40URH , IRLZ44N , MDHT4N25URH , MDHT7N25URH , MDI1752TH , MDI1N60STH , MDI2N60 , MDI4N60BTH , MDI5N40TH , MDI6N60BTH .

History: DHBZ24B31 | CHM4301ZGP | CED20N02 | IPD80R600P7 | IRHLUC7670Z4 | BSC097N06NST | SE85210

 

 
Back to Top

 


 
.