MDHT4N20YURH - описание и поиск аналогов

 

MDHT4N20YURH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MDHT4N20YURH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 42.7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.35 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

Аналог (замена) для MDHT4N20YURH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDHT4N20YURH даташит

 ..1. Size:901K  magnachip
 mdht4n20yurh.pdf pdf_icon

MDHT4N20YURH

MDHT4N20Y N-Channel MOSFET 200V, 0.85A, 1.35 General Description Features The MDHT4N20Y uses advanced Magnachip s V = 200V DS MOSFET Technology, which provides low on-state I = 0.85A @V = 10V D GS resistance, high switching performance and RDS(ON) 1.35 @VGS = 10V excellent quality. MDHT4N20Y is suitable device for LED TV and general purpose applicat

 7.1. Size:878K  magnachip
 mdht4n25urh.pdf pdf_icon

MDHT4N20YURH

MDHT4N25 N-Channel MOSFET 250V, 0.83A, 1.75 General Description Features The MDHT4N25 uses advanced Magnachip s V = 250V DS MOSFET Technology, which provides low on-state I = 0.83A D resistance, high switching performance and RDS(ON) 1.75 @VGS = 10V excellent quality. Applications MDHT4N25 is suitable device for SMPS, HID and general purpose appli

Другие MOSFET... MDF9N50BTH , MDF9N50FTH , MDF9N60BTH , MDFS10N60DTH , MDFS4N65DTH , MDH3331RH , MDH3331RP , MDHT3N40URH , AON6380 , MDHT4N25URH , MDHT7N25URH , MDI1752TH , MDI1N60STH , MDI2N60 , MDI4N60BTH , MDI5N40TH , MDI6N60BTH .

History: SDF04N65 | MDF2N60TP | APM4360KP

 

 

 

 

↑ Back to Top
.