MDHT7N25URH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MDHT7N25URH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 78 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223

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MDHT7N25URH Datasheet (PDF)

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mdht7n25urh.pdf

MDHT7N25 N-Channel MOSFET 250V, 1.4A, 0.55 General Description Features The MDHT7N25 uses advanced Magnachips V = 250V DSMOSFET Technology, which provides low on-state I = 1.4A Dresistance, high switching performance and RDS(ON) 0.55 @VGS = 10V excellent quality. Applications MDHT7N25 is suitable device for SMPS, HID and general purpose applica

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Liste

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