MDHT7N25URH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MDHT7N25URH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 78 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
Тип корпуса: SOT-223
Аналог (замена) для MDHT7N25URH
MDHT7N25URH Datasheet (PDF)
mdht7n25urh.pdf
MDHT7N25 N-Channel MOSFET 250V, 1.4A, 0.55 General Description Features The MDHT7N25 uses advanced Magnachips V = 250V DSMOSFET Technology, which provides low on-state I = 1.4A Dresistance, high switching performance and RDS(ON) 0.55 @VGS = 10V excellent quality. Applications MDHT7N25 is suitable device for SMPS, HID and general purpose applica
Другие MOSFET... MDF9N60BTH , MDFS10N60DTH , MDFS4N65DTH , MDH3331RH , MDH3331RP , MDHT3N40URH , MDHT4N20YURH , MDHT4N25URH , RU6888R , MDI1752TH , MDI1N60STH , MDI2N60 , MDI4N60BTH , MDI5N40TH , MDI6N60BTH , MDI6N65BTH , MDIB6N70CTH .
History: BL6N40-D
History: BL6N40-D
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918