MDHT7N25URH - описание и поиск аналогов

 

MDHT7N25URH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MDHT7N25URH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 78 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

Аналог (замена) для MDHT7N25URH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDHT7N25URH даташит

 ..1. Size:860K  magnachip
 mdht7n25urh.pdf pdf_icon

MDHT7N25URH

MDHT7N25 N-Channel MOSFET 250V, 1.4A, 0.55 General Description Features The MDHT7N25 uses advanced Magnachip s V = 250V DS MOSFET Technology, which provides low on-state I = 1.4A D resistance, high switching performance and RDS(ON) 0.55 @VGS = 10V excellent quality. Applications MDHT7N25 is suitable device for SMPS, HID and general purpose applica

Другие MOSFET... MDF9N60BTH , MDFS10N60DTH , MDFS4N65DTH , MDH3331RH , MDH3331RP , MDHT3N40URH , MDHT4N20YURH , MDHT4N25URH , CS150N03A8 , MDI1752TH , MDI1N60STH , MDI2N60 , MDI4N60BTH , MDI5N40TH , MDI6N60BTH , MDI6N65BTH , MDIB6N70CTH .

History: KP504E

 

 

 

 

↑ Back to Top
.