Справочник MOSFET. MDHT7N25URH

 

MDHT7N25URH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDHT7N25URH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 78 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MDHT7N25URH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:860K  magnachip
 mdht7n25urh.pdf pdf_icon

MDHT7N25URH

MDHT7N25 N-Channel MOSFET 250V, 1.4A, 0.55 General Description Features The MDHT7N25 uses advanced Magnachips V = 250V DSMOSFET Technology, which provides low on-state I = 1.4A Dresistance, high switching performance and RDS(ON) 0.55 @VGS = 10V excellent quality. Applications MDHT7N25 is suitable device for SMPS, HID and general purpose applica

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IXFH16N50P | IRLU024Z | 2SK610 | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | IXFA4N100Q

 

 
Back to Top

 


 
.