Справочник MOSFET. MDHT7N25URH

 

MDHT7N25URH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDHT7N25URH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 11 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 78 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для MDHT7N25URH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDHT7N25URH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:860K  magnachip
 mdht7n25urh.pdf pdf_icon

MDHT7N25URH

MDHT7N25 N-Channel MOSFET 250V, 1.4A, 0.55 General Description Features The MDHT7N25 uses advanced Magnachips V = 250V DSMOSFET Technology, which provides low on-state I = 1.4A Dresistance, high switching performance and RDS(ON) 0.55 @VGS = 10V excellent quality. Applications MDHT7N25 is suitable device for SMPS, HID and general purpose applica

Другие MOSFET... MDF9N60BTH , MDFS10N60DTH , MDFS4N65DTH , MDH3331RH , MDH3331RP , MDHT3N40URH , MDHT4N20YURH , MDHT4N25URH , IRLB4132 , MDI1752TH , MDI1N60STH , MDI2N60 , MDI4N60BTH , MDI5N40TH , MDI6N60BTH , MDI6N65BTH , MDIB6N70CTH .

History: BUK7E1R6-30E | AP9952GP-HF

 

 
Back to Top

 


 
.