MDI1752TH Todos los transistores

 

MDI1752TH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDI1752TH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 243 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
 

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MDI1752TH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:693K  magnachip
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MDI1752TH

MDI1752 N-Channel Trench MOSFET 40V, 50A, 8.0m General Description Features The MDI1752 uses advanced MagnaChips trench V = 40V DSMOSFET Technology to provide high performance in on- I = 50A @V = 10V D GS state resistance, switching performance and reliability R DS(ON)

 ..2. Size:320K  inchange semiconductor
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MDI1752TH

isc N-Channel MOSFET Transistor MDI1752THFEATURESDrain Current : I = 50A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 8m(Max) @V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid

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History: SPN2054T252RG | NTLUS3A39PZ | IRF7343QPBF | SDF320JAB | SWD7N65K2 | MEM2309S | 2SK3547

 

 
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