Справочник MOSFET. MDI1752TH

 

MDI1752TH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDI1752TH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 243 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для MDI1752TH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDI1752TH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:693K  magnachip
 mdi1752th.pdf pdf_icon

MDI1752TH

MDI1752 N-Channel Trench MOSFET 40V, 50A, 8.0m General Description Features The MDI1752 uses advanced MagnaChips trench V = 40V DSMOSFET Technology to provide high performance in on- I = 50A @V = 10V D GS state resistance, switching performance and reliability R DS(ON)

 ..2. Size:320K  inchange semiconductor
 mdi1752th.pdf pdf_icon

MDI1752TH

isc N-Channel MOSFET Transistor MDI1752THFEATURESDrain Current : I = 50A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 8m(Max) @V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid

Другие MOSFET... MDFS10N60DTH , MDFS4N65DTH , MDH3331RH , MDH3331RP , MDHT3N40URH , MDHT4N20YURH , MDHT4N25URH , MDHT7N25URH , IRFP450 , MDI1N60STH , MDI2N60 , MDI4N60BTH , MDI5N40TH , MDI6N60BTH , MDI6N65BTH , MDIB6N70CTH , MDIS1501TH .

 

 
Back to Top

 


 
.