MDI1752TH - описание и поиск аналогов

 

MDI1752TH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MDI1752TH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 243 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для MDI1752TH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDI1752TH даташит

 ..1. Size:693K  magnachip
 mdi1752th.pdf pdf_icon

MDI1752TH

MDI1752 N-Channel Trench MOSFET 40V, 50A, 8.0m General Description Features The MDI1752 uses advanced MagnaChip s trench V = 40V DS MOSFET Technology to provide high performance in on- I = 50A @V = 10V D GS state resistance, switching performance and reliability R DS(ON)

 ..2. Size:320K  inchange semiconductor
 mdi1752th.pdf pdf_icon

MDI1752TH

isc N-Channel MOSFET Transistor MDI1752TH FEATURES Drain Current I = 50A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 40V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 8m (Max) @V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid

Другие MOSFET... MDFS10N60DTH , MDFS4N65DTH , MDH3331RH , MDH3331RP , MDHT3N40URH , MDHT4N20YURH , MDHT4N25URH , MDHT7N25URH , NCEP15T14 , MDI1N60STH , MDI2N60 , MDI4N60BTH , MDI5N40TH , MDI6N60BTH , MDI6N65BTH , MDIB6N70CTH , MDIS1501TH .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.