MDI1N60STH Todos los transistores

 

MDI1N60STH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MDI1N60STH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8.5 Ohm

Encapsulados: I-PAK

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MDI1N60STH datasheet

 ..1. Size:766K  magnachip
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MDI1N60STH

MDI1N60S N-Channel MOSFET 600V, 1.0A, 8.5 General Description Features The MDI1N60S uses advanced MagnaChip s V = 600V DS MOSFET technology, which provides low on-state ID = 1.0A @VGS = 10V resistance, high switching performance and R 8.5 @V = 10V DS(ON) GS excellent quality. MDI1N60S is suitable device for SMPS, compact ballast, battery charger and general

Otros transistores... MDFS4N65DTH , MDH3331RH , MDH3331RP , MDHT3N40URH , MDHT4N20YURH , MDHT4N25URH , MDHT7N25URH , MDI1752TH , AON7506 , MDI2N60 , MDI4N60BTH , MDI5N40TH , MDI6N60BTH , MDI6N65BTH , MDIB6N70CTH , MDIS1501TH , MDIS1502TH .

History: HM45N02D | SE4060GB | APT56F60L

 

 

 

 

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