MDI1N60STH - описание и поиск аналогов

 

MDI1N60STH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MDI1N60STH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.5 Ohm

Тип корпуса: I-PAK

Аналог (замена) для MDI1N60STH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDI1N60STH даташит

 ..1. Size:766K  magnachip
 mdi1n60sth.pdf pdf_icon

MDI1N60STH

MDI1N60S N-Channel MOSFET 600V, 1.0A, 8.5 General Description Features The MDI1N60S uses advanced MagnaChip s V = 600V DS MOSFET technology, which provides low on-state ID = 1.0A @VGS = 10V resistance, high switching performance and R 8.5 @V = 10V DS(ON) GS excellent quality. MDI1N60S is suitable device for SMPS, compact ballast, battery charger and general

Другие MOSFET... MDFS4N65DTH , MDH3331RH , MDH3331RP , MDHT3N40URH , MDHT4N20YURH , MDHT4N25URH , MDHT7N25URH , MDI1752TH , AON7506 , MDI2N60 , MDI4N60BTH , MDI5N40TH , MDI6N60BTH , MDI6N65BTH , MDIB6N70CTH , MDIS1501TH , MDIS1502TH .

History: PDS4909

 

 

 

 

↑ Back to Top
.