MDI1N60STH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MDI1N60STH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.5 Ohm
Тип корпуса: I-PAK
Аналог (замена) для MDI1N60STH
MDI1N60STH Datasheet (PDF)
mdi1n60sth.pdf

MDI1N60S N-Channel MOSFET 600V, 1.0A, 8.5 General Description Features The MDI1N60S uses advanced MagnaChips V = 600V DSMOSFET technology, which provides low on-state ID = 1.0A @VGS = 10V resistance, high switching performance and R 8.5 @V = 10V DS(ON) GSexcellent quality. MDI1N60S is suitable device for SMPS, compact ballast, battery charger and general
Другие MOSFET... MDFS4N65DTH , MDH3331RH , MDH3331RP , MDHT3N40URH , MDHT4N20YURH , MDHT4N25URH , MDHT7N25URH , MDI1752TH , IRFP250 , MDI2N60 , MDI4N60BTH , MDI5N40TH , MDI6N60BTH , MDI6N65BTH , MDIB6N70CTH , MDIS1501TH , MDIS1502TH .
History: FDA16N50 | 2SK1704 | RJK0216DPA | PZC502FYB | 3N80L-TM3-T | JCS4N60V | HX2302A
History: FDA16N50 | 2SK1704 | RJK0216DPA | PZC502FYB | 3N80L-TM3-T | JCS4N60V | HX2302A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2sd330 replacement | a1273 transistor | 2sc1384 equivalent | 2sd786 | a940 transistor | 2sc1815 replacement | 2sc2383 | c3198 transistor