Справочник MOSFET. MDI1N60STH

 

MDI1N60STH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDI1N60STH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.5 Ohm
   Тип корпуса: I-PAK
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDI1N60STH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:766K  magnachip
 mdi1n60sth.pdf pdf_icon

MDI1N60STH

MDI1N60S N-Channel MOSFET 600V, 1.0A, 8.5 General Description Features The MDI1N60S uses advanced MagnaChips V = 600V DSMOSFET technology, which provides low on-state ID = 1.0A @VGS = 10V resistance, high switching performance and R 8.5 @V = 10V DS(ON) GSexcellent quality. MDI1N60S is suitable device for SMPS, compact ballast, battery charger and general

Другие MOSFET... MDFS4N65DTH , MDH3331RH , MDH3331RP , MDHT3N40URH , MDHT4N20YURH , MDHT4N25URH , MDHT7N25URH , MDI1752TH , IRFP250 , MDI2N60 , MDI4N60BTH , MDI5N40TH , MDI6N60BTH , MDI6N65BTH , MDIB6N70CTH , MDIS1501TH , MDIS1502TH .

 

 
Back to Top

 


 
.