MDI4N60BTH Todos los transistores

 

MDI4N60BTH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDI4N60BTH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 67.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
 

 Búsqueda de reemplazo de MDI4N60BTH MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MDI4N60BTH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:842K  magnachip
 mdd4n60brh mdi4n60bth.pdf pdf_icon

MDI4N60BTH

MDD4N60 / MDI4N60B N-Channel MOSFET 600V, 3.5A, 2.0General Description Features The MDD/I4N60B uses advanced Magnachips MOSFET VDS = 600V Technology, which provides low on-state resistance, high ID = 3.5A @ VGS = 10V switching performance and excellent quality. RDS(ON) 2.0 @ VGS = 10V MDD/I4N60B is suitable device for SMPS, HID and general Applications

Otros transistores... MDH3331RP , MDHT3N40URH , MDHT4N20YURH , MDHT4N25URH , MDHT7N25URH , MDI1752TH , MDI1N60STH , MDI2N60 , IRF1407 , MDI5N40TH , MDI6N60BTH , MDI6N65BTH , MDIB6N70CTH , MDIS1501TH , MDIS1502TH , MDIS1903TH , MDIS2N60TH .

History: BSC150N03LD | NDP708A | DMP4025LSS | DMP4025SFG | AP9977AGH-HF | AP3402GEH | TPD60R580C

 

 
Back to Top

 


 
.