MDI4N60BTH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDI4N60BTH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 67.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251
Búsqueda de reemplazo de MDI4N60BTH MOSFET
MDI4N60BTH Datasheet (PDF)
mdd4n60brh mdi4n60bth.pdf

MDD4N60 / MDI4N60B N-Channel MOSFET 600V, 3.5A, 2.0General Description Features The MDD/I4N60B uses advanced Magnachips MOSFET VDS = 600V Technology, which provides low on-state resistance, high ID = 3.5A @ VGS = 10V switching performance and excellent quality. RDS(ON) 2.0 @ VGS = 10V MDD/I4N60B is suitable device for SMPS, HID and general Applications
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History: NTMFS6H848NLT1G | IRFR13N20D | R9521 | PX607UZ | 2SJ656 | 2SJ460 | SDF75NA20GBN
History: NTMFS6H848NLT1G | IRFR13N20D | R9521 | PX607UZ | 2SJ656 | 2SJ460 | SDF75NA20GBN



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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