MDI4N60BTH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MDI4N60BTH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 67.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 3.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Tiempo de elevación (tr): 15 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 60 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-251

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MDI4N60BTH Datasheet (PDF)

1.1. mdd4n60brh mdi4n60bth.pdf Size:842K _magnachip

MDD4N60 / MDI4N60B N-Channel MOSFET 600V, 3.5A, 2.0Ω Ω Ω Ω General Description Features The MDD/I4N60B uses advanced Magnachip’s MOSFET VDS = 600V Technology, which provides low on-state resistance, high ID = 3.5A @ VGS = 10V switching performance and excellent quality. RDS(ON) ≤ 2.0Ω @ VGS = 10V MDD/I4N60B is suitable device for SMPS, HID and general Applications

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Liste

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