Справочник MOSFET. MDI4N60BTH

 

MDI4N60BTH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: MDI4N60BTH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 67.5 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 15 ns

Выходная емкость (Cd): 60 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для MDI4N60BTH

 

 

MDI4N60BTH Datasheet (PDF)

1.1. mdi4n60bth.pdf Size:842K _magnachip

MDI4N60BTH MDI4N60BTH

 MDD4N60 / MDI4N60B N-Channel MOSFET 600V, 3.5A, 2.0Ω Ω Ω Ω General Description Features The MDD/I4N60B uses advanced Magnachip’s MOSFET VDS = 600V Technology, which provides low on-state resistance, high ID = 3.5A @ VGS = 10V switching performance and excellent quality. RDS(ON) ≤ 2.0Ω @ VGS = 10V MDD/I4N60B is suitable device for SMPS, HID and general Applications

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top