MDI4N60BTH datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MDI4N60BTH  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 67.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: TO-251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MDI4N60BTH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDI4N60BTH даташит

 ..1. Size:842K  magnachip
 mdd4n60brh mdi4n60bth.pdf pdf_icon

MDI4N60BTH

MDD4N60 / MDI4N60B N-Channel MOSFET 600V, 3.5A, 2.0 General Description Features The MDD/I4N60B uses advanced Magnachip s MOSFET VDS = 600V Technology, which provides low on-state resistance, high ID = 3.5A @ VGS = 10V switching performance and excellent quality. RDS(ON) 2.0 @ VGS = 10V MDD/I4N60B is suitable device for SMPS, HID and general Applications

Другие IGBT... MDH3331RP, MDHT3N40URH, MDHT4N20YURH, MDHT4N25URH, MDHT7N25URH, MDI1752TH, MDI1N60STH, MDI2N60, NCEP15T14, MDI5N40TH, MDI6N60BTH, MDI6N65BTH, MDIB6N70CTH, MDIS1501TH, MDIS1502TH, MDIS1903TH, MDIS2N60TH