Справочник MOSFET. MDI4N60BTH

 

MDI4N60BTH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: MDI4N60BTH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 67.5 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 15 ns

Выходная емкость (Cd): 60 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для MDI4N60BTH

 

 

MDI4N60BTH Datasheet (PDF)

1.1. mdi4n60bth.pdf Size:842K _magnachip

MDI4N60BTH MDI4N60BTH

 MDD4N60 / MDI4N60B N-Channel MOSFET 600V, 3.5A, 2.0Ω Ω Ω Ω General Description Features The MDD/I4N60B uses advanced Magnachip’s MOSFET VDS = 600V Technology, which provides low on-state resistance, high ID = 3.5A @ VGS = 10V switching performance and excellent quality. RDS(ON) ≤ 2.0Ω @ VGS = 10V MDD/I4N60B is suitable device for SMPS, HID and general Applications

Другие MOSFET... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .

 

 
Back to Top