MDI4N60BTH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MDI4N60BTH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 67.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 60 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2 Ohm
Тип корпуса: TO-251
Аналог (замена) для MDI4N60BTH
MDI4N60BTH Datasheet (PDF)
1.1. mdi4n60bth.pdf 
Size:842K _magnachip
MDD4N60 / MDI4N60B N-Channel MOSFET 600V, 3.5A, 2.0Ω Ω Ω Ω General Description Features The MDD/I4N60B uses advanced Magnachip’s MOSFET VDS = 600V Technology, which provides low on-state resistance, high ID = 3.5A @ VGS = 10V switching performance and excellent quality. RDS(ON) ≤ 2.0Ω @ VGS = 10V MDD/I4N60B is suitable device for SMPS, HID and general Applications
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
