MDIB6N70CTH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDIB6N70CTH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 112 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23.3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
Encapsulados: TO-251
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MDIB6N70CTH datasheet
mdib6n70cth.pdf
MDIB6N70C N-Channel MOSFET 700V, 5.0A, 1.8 General Description Features The MDIB6N70C use advanced Magnachip s VDS = 700V MOSFET Technology, which provides low on-state @VGS = 10V ID = 5.0A resistance, high switching performance and @VGS = 10V RDS(ON) 1.8 excellent quality. MDIB6N70C is suitable device for SMPS, HID and general purpose applications. Applications
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