MDIB6N70CTH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDIB6N70CTH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 112 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 700 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 18.4 nC
Tiempo de subida (tr): 23.3 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 95 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MDIB6N70CTH
MDIB6N70CTH Datasheet (PDF)
mdib6n70cth.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MDIB6N70C N-Channel MOSFET 700V, 5.0A, 1.8General Description Features The MDIB6N70C use advanced Magnachips VDS = 700V MOSFET Technology, which provides low on-state @VGS = 10V ID = 5.0A resistance, high switching performance and @VGS = 10V RDS(ON) 1.8 excellent quality. MDIB6N70C is suitable device for SMPS, HID and general purpose applications. Applications
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .