MDIB6N70CTH Todos los transistores

 

MDIB6N70CTH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDIB6N70CTH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 112 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 700 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 18.4 nC
   Tiempo de subida (tr): 23.3 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 95 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251

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MDIB6N70CTH Datasheet (PDF)

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MDIB6N70CTH
MDIB6N70CTH

MDIB6N70C N-Channel MOSFET 700V, 5.0A, 1.8General Description Features The MDIB6N70C use advanced Magnachips VDS = 700V MOSFET Technology, which provides low on-state @VGS = 10V ID = 5.0A resistance, high switching performance and @VGS = 10V RDS(ON) 1.8 excellent quality. MDIB6N70C is suitable device for SMPS, HID and general purpose applications. Applications

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
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