MDIB6N70CTH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MDIB6N70CTH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 112 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 18.4 nC
Время нарастания (tr): 23.3 ns
Выходная емкость (Cd): 95 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.8 Ohm
Тип корпуса: TO-251
Аналог (замена) для MDIB6N70CTH
MDIB6N70CTH Datasheet (PDF)
..1. Size:779K magnachip
mdib6n70cth.pdf
mdib6n70cth.pdf
MDIB6N70C N-Channel MOSFET 700V, 5.0A, 1.8General Description Features The MDIB6N70C use advanced Magnachips VDS = 700V MOSFET Technology, which provides low on-state @VGS = 10V ID = 5.0A resistance, high switching performance and @VGS = 10V RDS(ON) 1.8 excellent quality. MDIB6N70C is suitable device for SMPS, HID and general purpose applications. Applications
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: NCE60N390I
