Справочник MOSFET. MDIB6N70CTH

 

MDIB6N70CTH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDIB6N70CTH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 112 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 23.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MDIB6N70CTH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:779K  magnachip
 mdib6n70cth.pdf pdf_icon

MDIB6N70CTH

MDIB6N70C N-Channel MOSFET 700V, 5.0A, 1.8General Description Features The MDIB6N70C use advanced Magnachips VDS = 700V MOSFET Technology, which provides low on-state @VGS = 10V ID = 5.0A resistance, high switching performance and @VGS = 10V RDS(ON) 1.8 excellent quality. MDIB6N70C is suitable device for SMPS, HID and general purpose applications. Applications

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SI3433CDV | IRL2505 | SWF18N60D | STB80NF03L-04 | WM02N08H | CJS9004 | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.