MDIB6N70CTH - описание и поиск аналогов

 

MDIB6N70CTH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MDIB6N70CTH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 112 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для MDIB6N70CTH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDIB6N70CTH даташит

 ..1. Size:779K  magnachip
 mdib6n70cth.pdf pdf_icon

MDIB6N70CTH

MDIB6N70C N-Channel MOSFET 700V, 5.0A, 1.8 General Description Features The MDIB6N70C use advanced Magnachip s VDS = 700V MOSFET Technology, which provides low on-state @VGS = 10V ID = 5.0A resistance, high switching performance and @VGS = 10V RDS(ON) 1.8 excellent quality. MDIB6N70C is suitable device for SMPS, HID and general purpose applications. Applications

Другие MOSFET... MDHT7N25URH , MDI1752TH , MDI1N60STH , MDI2N60 , MDI4N60BTH , MDI5N40TH , MDI6N60BTH , MDI6N65BTH , 4N60 , MDIS1501TH , MDIS1502TH , MDIS1903TH , MDIS2N60TH , MDIS2N65BTH , MDIS3N40TH , MDIS4N65BTH , MDIS5N40TH .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.