MDIS2N65BTH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDIS2N65BTH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.95 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 24.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 34.7 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.5 Ohm
Encapsulados: TO-251-VS
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MDIS2N65BTH datasheet
mdis2n65bth.pdf
MDIS2N65B N-Channel MOSFET 650V, 1.95A, 4.5 General Description Features The MDIS2N65B uses advanced MagnaChip s V = 650V DS MOSFET technology, which provides low on-state I = 1.95A @V = 10V D GS resistance, high switching performance and RDS(ON) 4.5 @VGS = 10V excellent quality. MDIS2N65B is suitable device for SMPS, compact ballast, battery charge
mdis2n60th.pdf
MDIS2N60 N-Channel MOSFET 600V, 1.9A, 4.5 General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced VDS = 600V MagnaChip s MOSFET Technology, which provides low on- ID = 1.9A @ VGS = 10V state resistance, high switching performance and excellent RDS(ON) 4.5 @ VGS = 10V quality. Applications These devices are suitable device for SM
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History: MDP15N60GTH | BSS131
History: MDP15N60GTH | BSS131
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