MDIS2N65BTH Todos los transistores

 

MDIS2N65BTH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDIS2N65BTH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.95 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 34.7 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251-VS
 

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MDIS2N65BTH Datasheet (PDF)

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MDIS2N65BTH

MDIS2N65B N-Channel MOSFET 650V, 1.95A, 4.5 General Description Features The MDIS2N65B uses advanced MagnaChips V = 650V DSMOSFET technology, which provides low on-state I = 1.95A @V = 10V D GSresistance, high switching performance and RDS(ON) 4.5 @VGS = 10V excellent quality. MDIS2N65B is suitable device for SMPS, compact ballast, battery charge

 7.1. Size:877K  magnachip
 mdis2n60th.pdf pdf_icon

MDIS2N65BTH

MDIS2N60 N-Channel MOSFET 600V, 1.9A, 4.5General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced VDS = 600V MagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- ID = 1.9A @ VGS = 10V state resistance, high switching performance and excellent RDS(ON) 4.5 @ VGS = 10V quality. Applications These devices are suitable device for SM

Otros transistores... MDI5N40TH , MDI6N60BTH , MDI6N65BTH , MDIB6N70CTH , MDIS1501TH , MDIS1502TH , MDIS1903TH , MDIS2N60TH , 10N65 , MDIS3N40TH , MDIS4N65BTH , MDIS5N40TH , MDIS5N50TH , MDP10N50TH , MDP10N60GTH , MDP11N60TH , MDP12N50BTH .

History: FDY302NZ | HY1607P | SM7A25NSF

 

 
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