MDIS2N65BTH - описание и поиск аналогов

 

MDIS2N65BTH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MDIS2N65BTH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.95 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 34.7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm

Тип корпуса: TO-251-VS

Аналог (замена) для MDIS2N65BTH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDIS2N65BTH даташит

 ..1. Size:928K  magnachip
 mdis2n65bth.pdf pdf_icon

MDIS2N65BTH

MDIS2N65B N-Channel MOSFET 650V, 1.95A, 4.5 General Description Features The MDIS2N65B uses advanced MagnaChip s V = 650V DS MOSFET technology, which provides low on-state I = 1.95A @V = 10V D GS resistance, high switching performance and RDS(ON) 4.5 @VGS = 10V excellent quality. MDIS2N65B is suitable device for SMPS, compact ballast, battery charge

 7.1. Size:877K  magnachip
 mdis2n60th.pdf pdf_icon

MDIS2N65BTH

MDIS2N60 N-Channel MOSFET 600V, 1.9A, 4.5 General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced VDS = 600V MagnaChip s MOSFET Technology, which provides low on- ID = 1.9A @ VGS = 10V state resistance, high switching performance and excellent RDS(ON) 4.5 @ VGS = 10V quality. Applications These devices are suitable device for SM

Другие MOSFET... MDI5N40TH , MDI6N60BTH , MDI6N65BTH , MDIB6N70CTH , MDIS1501TH , MDIS1502TH , MDIS1903TH , MDIS2N60TH , 5N60 , MDIS3N40TH , MDIS4N65BTH , MDIS5N40TH , MDIS5N50TH , MDP10N50TH , MDP10N60GTH , MDP11N60TH , MDP12N50BTH .

History: BUK7Y4R4-40E

 

 

 

 

↑ Back to Top
.