MDIS3N40TH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDIS3N40TH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.4 Ohm
Encapsulados: TO-251-VS
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MDIS3N40TH datasheet
mdis3n40th.pdf
MDIS3N40 N-Channel MOSFET 400V, 2.0A, 3.4 General Description Features The MDIS3N40 uses advanced Magnachip s V = 400V DS MOSFET Technology, which provides low on-state I = 2.0A @V = 10V D GS resistance, high switching performance and excellent RDS(ON) 3.4 @VGS = 10V quality. MDIS3N40 is suitable device for SMPS, HID and general purpose applications
mdis3n40th.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor MDIS3N40TH FEATURES Drain Current I = 2A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 400V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 3.4 (Max) @V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and soleno
Otros transistores... MDI6N60BTH , MDI6N65BTH , MDIB6N70CTH , MDIS1501TH , MDIS1502TH , MDIS1903TH , MDIS2N60TH , MDIS2N65BTH , RFP50N06 , MDIS4N65BTH , MDIS5N40TH , MDIS5N50TH , MDP10N50TH , MDP10N60GTH , MDP11N60TH , MDP12N50BTH , MDP12N50FTH .
History: MDIS5N40TH
History: MDIS5N40TH
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