MDIS3N40TH Todos los transistores

 

MDIS3N40TH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDIS3N40TH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251-VS
 

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MDIS3N40TH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1013K  magnachip
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MDIS3N40TH

MDIS3N40 N-Channel MOSFET 400V, 2.0A, 3.4 General Description Features The MDIS3N40 uses advanced Magnachips V = 400V DSMOSFET Technology, which provides low on-state I = 2.0A @V = 10V D GSresistance, high switching performance and excellent RDS(ON) 3.4 @VGS = 10V quality. MDIS3N40 is suitable device for SMPS, HID and general purpose applications

 ..2. Size:320K  inchange semiconductor
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MDIS3N40TH

isc N-Channel MOSFET Transistor MDIS3N40THFEATURESDrain Current : I = 2A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 400V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 3.4(Max) @V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand soleno

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History: STW29NK50ZD | UPA2762UGR | UPA2761UGR | 2SK3156 | BSS84PW

 

 
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