MDIS3N40TH - описание и поиск аналогов

 

MDIS3N40TH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MDIS3N40TH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 27 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.4 Ohm

Тип корпуса: TO-251-VS

Аналог (замена) для MDIS3N40TH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDIS3N40TH даташит

 ..1. Size:1013K  magnachip
 mdis3n40th.pdf pdf_icon

MDIS3N40TH

MDIS3N40 N-Channel MOSFET 400V, 2.0A, 3.4 General Description Features The MDIS3N40 uses advanced Magnachip s V = 400V DS MOSFET Technology, which provides low on-state I = 2.0A @V = 10V D GS resistance, high switching performance and excellent RDS(ON) 3.4 @VGS = 10V quality. MDIS3N40 is suitable device for SMPS, HID and general purpose applications

 ..2. Size:320K  inchange semiconductor
 mdis3n40th.pdf pdf_icon

MDIS3N40TH

isc N-Channel MOSFET Transistor MDIS3N40TH FEATURES Drain Current I = 2A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 400V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 3.4 (Max) @V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and soleno

Другие MOSFET... MDI6N60BTH , MDI6N65BTH , MDIB6N70CTH , MDIS1501TH , MDIS1502TH , MDIS1903TH , MDIS2N60TH , MDIS2N65BTH , RFP50N06 , MDIS4N65BTH , MDIS5N40TH , MDIS5N50TH , MDP10N50TH , MDP10N60GTH , MDP11N60TH , MDP12N50BTH , MDP12N50FTH .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.