Справочник MOSFET. MDIS3N40TH

 

MDIS3N40TH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDIS3N40TH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 27 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-251-VS
 

 Аналог (замена) для MDIS3N40TH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDIS3N40TH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1013K  magnachip
 mdis3n40th.pdf pdf_icon

MDIS3N40TH

MDIS3N40 N-Channel MOSFET 400V, 2.0A, 3.4 General Description Features The MDIS3N40 uses advanced Magnachips V = 400V DSMOSFET Technology, which provides low on-state I = 2.0A @V = 10V D GSresistance, high switching performance and excellent RDS(ON) 3.4 @VGS = 10V quality. MDIS3N40 is suitable device for SMPS, HID and general purpose applications

 ..2. Size:320K  inchange semiconductor
 mdis3n40th.pdf pdf_icon

MDIS3N40TH

isc N-Channel MOSFET Transistor MDIS3N40THFEATURESDrain Current : I = 2A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 400V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 3.4(Max) @V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand soleno

Другие MOSFET... MDI6N60BTH , MDI6N65BTH , MDIB6N70CTH , MDIS1501TH , MDIS1502TH , MDIS1903TH , MDIS2N60TH , MDIS2N65BTH , SKD502T , MDIS4N65BTH , MDIS5N40TH , MDIS5N50TH , MDP10N50TH , MDP10N60GTH , MDP11N60TH , MDP12N50BTH , MDP12N50FTH .

History: BLM22N10-P | PJP10NA60 | AP95T10AGI-HF | AP9585GJ | AP2305N-HF | APM9926 | STW30NM60D

 

 
Back to Top

 


 
.