MDIS4N65BTH Todos los transistores

 

MDIS4N65BTH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDIS4N65BTH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.65 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251-VS
 

 Búsqueda de reemplazo de MDIS4N65BTH MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MDIS4N65BTH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:814K  magnachip
 mdis4n65bth.pdf pdf_icon

MDIS4N65BTH

MDIS4N65B N-Channel MOSFET 650V, 3.65A, 2.2General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced VDS = 650V MagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- ID = 3.65A @ VGS = 10V state resistance, high switching performance and excellent RDS(ON) 2.2 @ VGS = 10V quality. Applications These devices are suitable device for

Otros transistores... MDI6N65BTH , MDIB6N70CTH , MDIS1501TH , MDIS1502TH , MDIS1903TH , MDIS2N60TH , MDIS2N65BTH , MDIS3N40TH , SI2302 , MDIS5N40TH , MDIS5N50TH , MDP10N50TH , MDP10N60GTH , MDP11N60TH , MDP12N50BTH , MDP12N50FTH , MDP13N50BTH .

History: AP02N60I | SML5030HN | TMP7N65AZ | SUP40N25-60 | IPP076N12N3 | 2SK3111-ZJ | IPP023N04N

 

 
Back to Top

 


 
.