MDIS4N65BTH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDIS4N65BTH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.65 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm
Encapsulados: TO-251-VS
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MDIS4N65BTH datasheet
mdis4n65bth.pdf
MDIS4N65B N-Channel MOSFET 650V, 3.65A, 2.2 General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced VDS = 650V MagnaChip s MOSFET Technology, which provides low on- ID = 3.65A @ VGS = 10V state resistance, high switching performance and excellent RDS(ON) 2.2 @ VGS = 10V quality. Applications These devices are suitable device for
Otros transistores... MDI6N65BTH , MDIB6N70CTH , MDIS1501TH , MDIS1502TH , MDIS1903TH , MDIS2N60TH , MDIS2N65BTH , MDIS3N40TH , SI2302 , MDIS5N40TH , MDIS5N50TH , MDP10N50TH , MDP10N60GTH , MDP11N60TH , MDP12N50BTH , MDP12N50FTH , MDP13N50BTH .
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