MDIS4N65BTH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MDIS4N65BTH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.65 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251-VS

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MDIS4N65BTH

MDIS4N65BTH Datasheet (PDF)

..1. Size:814K magnachip
mdis4n65bth.pdf

MDIS4N65B N-Channel MOSFET 650V, 3.65A, 2.2General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced VDS = 650V MagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- ID = 3.65A @ VGS = 10V state resistance, high switching performance and excellent RDS(ON) 2.2 @ VGS = 10V quality. Applications These devices are suitable device for

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

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