MDIS4N65BTH - описание и поиск аналогов

 

MDIS4N65BTH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MDIS4N65BTH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm

Тип корпуса: TO-251-VS

Аналог (замена) для MDIS4N65BTH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDIS4N65BTH даташит

 ..1. Size:814K  magnachip
 mdis4n65bth.pdf pdf_icon

MDIS4N65BTH

MDIS4N65B N-Channel MOSFET 650V, 3.65A, 2.2 General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced VDS = 650V MagnaChip s MOSFET Technology, which provides low on- ID = 3.65A @ VGS = 10V state resistance, high switching performance and excellent RDS(ON) 2.2 @ VGS = 10V quality. Applications These devices are suitable device for

Другие MOSFET... MDI6N65BTH , MDIB6N70CTH , MDIS1501TH , MDIS1502TH , MDIS1903TH , MDIS2N60TH , MDIS2N65BTH , MDIS3N40TH , SI2302 , MDIS5N40TH , MDIS5N50TH , MDP10N50TH , MDP10N60GTH , MDP11N60TH , MDP12N50BTH , MDP12N50FTH , MDP13N50BTH .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.