MDP11N60TH Todos los transistores

 

MDP11N60TH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDP11N60TH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 182 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 184 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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MDP11N60TH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:786K  magnachip
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MDP11N60TH

MDP11N60 N-Channel MOSFET 600V, 11A, 0.55 General Description Features The MDP11N60 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 600V DSTechnology, which provides low on-state resistance, high V = 660V DSswitching performance and excellent quality. I = 11A @ V = 10V D GS RDS(ON) 0.55 @ VGS = 10V MDP11N60 is suitable device for SMPS, high Speed switching Applications

 ..2. Size:289K  inchange semiconductor
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MDP11N60TH

isc N-Channel MOSFET Transistor MDP11N60THFEATURESDrain Current : I = 11A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.55(Max) @V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand sole

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History: JCS4N65RB | SVG069R5NDTR | 2SK368 | BUK7222-55A | BUK725R0-40C | 2SK4014 | BUK7K23-80E

 

 
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