MDP11N60TH - аналоги и даташиты транзистора

 

MDP11N60TH - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MDP11N60TH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 182 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 184 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDP11N60TH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:786K  magnachip
 mdp11n60th.pdf pdf_icon

MDP11N60TH

MDP11N60 N-Channel MOSFET 600V, 11A, 0.55 General Description Features The MDP11N60 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 600V DSTechnology, which provides low on-state resistance, high V = 660V DSswitching performance and excellent quality. I = 11A @ V = 10V D GS RDS(ON) 0.55 @ VGS = 10V MDP11N60 is suitable device for SMPS, high Speed switching Applications

 ..2. Size:289K  inchange semiconductor
 mdp11n60th.pdf pdf_icon

MDP11N60TH

isc N-Channel MOSFET Transistor MDP11N60THFEATURESDrain Current : I = 11A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.55(Max) @V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand sole

Другие MOSFET... MDIS2N60TH , MDIS2N65BTH , MDIS3N40TH , MDIS4N65BTH , MDIS5N40TH , MDIS5N50TH , MDP10N50TH , MDP10N60GTH , IRFB31N20D , MDP12N50BTH , MDP12N50FTH , MDP13N50BTH , MDP13N50GTH , MDP14N25CTH , MDP14N25CTP , MDP15N60GTH , MDP16N50GTH .

 

 
Back to Top

 


 
.