MDP11N60TH - описание и поиск аналогов

 

MDP11N60TH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MDP11N60TH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 182 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 184 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для MDP11N60TH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDP11N60TH даташит

 ..1. Size:786K  magnachip
 mdp11n60th.pdf pdf_icon

MDP11N60TH

MDP11N60 N-Channel MOSFET 600V, 11A, 0.55 General Description Features The MDP11N60 uses advanced MagnaChip s MOSFET V = 600V DS Technology, which provides low on-state resistance, high V = 660V DS switching performance and excellent quality. I = 11A @ V = 10V D GS RDS(ON) 0.55 @ VGS = 10V MDP11N60 is suitable device for SMPS, high Speed switching Applications

 ..2. Size:289K  inchange semiconductor
 mdp11n60th.pdf pdf_icon

MDP11N60TH

isc N-Channel MOSFET Transistor MDP11N60TH FEATURES Drain Current I = 11A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.55 (Max) @V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and sole

Другие MOSFET... MDIS2N60TH , MDIS2N65BTH , MDIS3N40TH , MDIS4N65BTH , MDIS5N40TH , MDIS5N50TH , MDP10N50TH , MDP10N60GTH , IRF2807 , MDP12N50BTH , MDP12N50FTH , MDP13N50BTH , MDP13N50GTH , MDP14N25CTH , MDP14N25CTP , MDP15N60GTH , MDP16N50GTH .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.