MDP14N25CTH Todos los transistores

 

MDP14N25CTH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDP14N25CTH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 126.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 142 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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MDP14N25CTH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:822K  magnachip
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MDP14N25CTH

MDP14N25C N-Channel MOSFET 250V, 14A, 0.28 General Description Features The MDP14N25C is produced using advanced MagnaChips V = 250V DSMOSFET Technology, which provides low on-state resistance, I = 14A @ V = 10V D GShigh switching performance and excellent quality. R 0.28 @ V = 10V DS(ON) GSThese devices are suitable device for SMPS, high Speed Appl

 ..2. Size:206K  inchange semiconductor
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MDP14N25CTH

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor MDP14N25CTHFEATURESWith TO-220 packagingHigh speed switchingVery high commutation ruggednessEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSPFC stagesLCD & PDP TVPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXI

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History: FDS8984 | APM2701AC | RQ5E040TN | WMJ12N120D1 | SDD02N70 | SNN3100L10D | FQAF11N90C

 

 
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