MDP14N25CTH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDP14N25CTH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 126.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 142 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
Encapsulados: TO-220
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MDP14N25CTH datasheet
mdp14n25cth mdp14n25ctp.pdf
MDP14N25C N-Channel MOSFET 250V, 14A, 0.28 General Description Features The MDP14N25C is produced using advanced MagnaChip s V = 250V DS MOSFET Technology, which provides low on-state resistance, I = 14A @ V = 10V D GS high switching performance and excellent quality. R 0.28 @ V = 10V DS(ON) GS These devices are suitable device for SMPS, high Speed Appl
mdp14n25cth.pdf
INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor MDP14N25CTH FEATURES With TO-220 packaging High speed switching Very high commutation ruggedness Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operationz APPLICATIONS PFC stages LCD & PDP TV Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXI
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History: BSS127 | BLF7G20L-250P | MDIS2N60TH
History: BSS127 | BLF7G20L-250P | MDIS2N60TH
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