MDP14N25CTH - описание и поиск аналогов

 

MDP14N25CTH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MDP14N25CTH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 126.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 142 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для MDP14N25CTH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDP14N25CTH даташит

 ..1. Size:822K  magnachip
 mdp14n25cth mdp14n25ctp.pdf pdf_icon

MDP14N25CTH

MDP14N25C N-Channel MOSFET 250V, 14A, 0.28 General Description Features The MDP14N25C is produced using advanced MagnaChip s V = 250V DS MOSFET Technology, which provides low on-state resistance, I = 14A @ V = 10V D GS high switching performance and excellent quality. R 0.28 @ V = 10V DS(ON) GS These devices are suitable device for SMPS, high Speed Appl

 ..2. Size:206K  inchange semiconductor
 mdp14n25cth.pdf pdf_icon

MDP14N25CTH

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor MDP14N25CTH FEATURES With TO-220 packaging High speed switching Very high commutation ruggedness Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operationz APPLICATIONS PFC stages LCD & PDP TV Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXI

Другие MOSFET... MDIS5N50TH , MDP10N50TH , MDP10N60GTH , MDP11N60TH , MDP12N50BTH , MDP12N50FTH , MDP13N50BTH , MDP13N50GTH , P60NF06 , MDP14N25CTP , MDP15N60GTH , MDP16N50GTH , MDP1723TH , MDP18N50BTH , MDP1901TH , MDP1921TH , MDP1922TH .

History: MDP14N25CTP

 

 

 

 

↑ Back to Top
.