MDP14N25CTP Todos los transistores

 

MDP14N25CTP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDP14N25CTP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 126.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 142 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de MDP14N25CTP MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MDP14N25CTP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:822K  magnachip
 mdp14n25cth mdp14n25ctp.pdf pdf_icon

MDP14N25CTP

MDP14N25C N-Channel MOSFET 250V, 14A, 0.28 General Description Features The MDP14N25C is produced using advanced MagnaChips V = 250V DSMOSFET Technology, which provides low on-state resistance, I = 14A @ V = 10V D GShigh switching performance and excellent quality. R 0.28 @ V = 10V DS(ON) GSThese devices are suitable device for SMPS, high Speed Appl

 4.1. Size:206K  inchange semiconductor
 mdp14n25cth.pdf pdf_icon

MDP14N25CTP

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor MDP14N25CTHFEATURESWith TO-220 packagingHigh speed switchingVery high commutation ruggednessEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSPFC stagesLCD & PDP TVPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXI

Otros transistores... MDP10N50TH , MDP10N60GTH , MDP11N60TH , MDP12N50BTH , MDP12N50FTH , MDP13N50BTH , MDP13N50GTH , MDP14N25CTH , IRF520 , MDP15N60GTH , MDP16N50GTH , MDP1723TH , MDP18N50BTH , MDP1901TH , MDP1921TH , MDP1922TH , MDP1923TH .

History: HM4N60I | MDIS1501TH | AP95T06GP-HF | 2SK3928-01

 

 
Back to Top

 


 
.