MDP14N25CTP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDP14N25CTP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 126.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 142 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MDP14N25CTP MOSFET
MDP14N25CTP Datasheet (PDF)
mdp14n25cth mdp14n25ctp.pdf
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mdp14n25cth.pdf
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor MDP14N25CTHFEATURESWith TO-220 packagingHigh speed switchingVery high commutation ruggednessEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSPFC stagesLCD & PDP TVPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXI
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History: SIF2N65C
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