MDP14N25CTP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MDP14N25CTP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 126.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 142 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для MDP14N25CTP
MDP14N25CTP Datasheet (PDF)
mdp14n25cth mdp14n25ctp.pdf

MDP14N25C N-Channel MOSFET 250V, 14A, 0.28 General Description Features The MDP14N25C is produced using advanced MagnaChips V = 250V DSMOSFET Technology, which provides low on-state resistance, I = 14A @ V = 10V D GShigh switching performance and excellent quality. R 0.28 @ V = 10V DS(ON) GSThese devices are suitable device for SMPS, high Speed Appl
mdp14n25cth.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor MDP14N25CTHFEATURESWith TO-220 packagingHigh speed switchingVery high commutation ruggednessEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSPFC stagesLCD & PDP TVPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXI
Другие MOSFET... MDP10N50TH , MDP10N60GTH , MDP11N60TH , MDP12N50BTH , MDP12N50FTH , MDP13N50BTH , MDP13N50GTH , MDP14N25CTH , K2611 , MDP15N60GTH , MDP16N50GTH , MDP1723TH , MDP18N50BTH , MDP1901TH , MDP1921TH , MDP1922TH , MDP1923TH .
History: AP2325GEN | AOB20S60 | IRFN350
History: AP2325GEN | AOB20S60 | IRFN350



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
ksa1381 equivalent | 2sa1306 | b817 transistor | 2n3394 | 2sb688 | 2sd551 | ac128 datasheet | 2n5496