MDP16N50GTH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDP16N50GTH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 204.9 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 88.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 226 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
Encapsulados: TO-220
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MDP16N50GTH datasheet
mdf16n50gth mdp16n50gth.pdf
MDP16N50G / MDF16N50G N-Channel MOSFET 500V, 16.0 A, 0.35 General Description Features VDS = 500V These N-channel MOSFET are produced using advanced VDS = 550V @ Tjmax MagnaChip s MOSFET Technology, which provides low on- ID = 16A @VGS = 10V state resistance, high switching performance and excellent RDS(ON) 0.35 @VGS = 10V quality. These devices are suitable d
mdp16n50gth.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor MDP16N50GTH FEATURES Drain Current I = 16A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.35 (Max) @V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and sol
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