MDP16N50GTH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MDP16N50GTH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 204.9 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 16 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 88.5 ns
Выходная емкость (Cd): 226 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.35 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для MDP16N50GTH
MDP16N50GTH Datasheet (PDF)
mdf16n50gth mdp16n50gth.pdf
MDP16N50G / MDF16N50G N-Channel MOSFET 500V, 16.0 A, 0.35 General Description Features VDS = 500V These N-channel MOSFET are produced using advanced VDS = 550V @ Tjmax MagnaChips MOSFET Technology, which provides low on-ID = 16A @VGS = 10V state resistance, high switching performance and excellent RDS(ON) 0.35 @VGS = 10V quality. These devices are suitable d
mdp16n50gth.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor MDP16N50GTHFEATURESDrain Current : I = 16A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.35(Max) @V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand sol
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
