MDP16N50GTH - описание и поиск аналогов

 

MDP16N50GTH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MDP16N50GTH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 204.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 88.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 226 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для MDP16N50GTH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDP16N50GTH даташит

 ..1. Size:1026K  magnachip
 mdf16n50gth mdp16n50gth.pdf pdf_icon

MDP16N50GTH

MDP16N50G / MDF16N50G N-Channel MOSFET 500V, 16.0 A, 0.35 General Description Features VDS = 500V These N-channel MOSFET are produced using advanced VDS = 550V @ Tjmax MagnaChip s MOSFET Technology, which provides low on- ID = 16A @VGS = 10V state resistance, high switching performance and excellent RDS(ON) 0.35 @VGS = 10V quality. These devices are suitable d

 ..2. Size:288K  inchange semiconductor
 mdp16n50gth.pdf pdf_icon

MDP16N50GTH

isc N-Channel MOSFET Transistor MDP16N50GTH FEATURES Drain Current I = 16A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.35 (Max) @V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and sol

Другие MOSFET... MDP11N60TH , MDP12N50BTH , MDP12N50FTH , MDP13N50BTH , MDP13N50GTH , MDP14N25CTH , MDP14N25CTP , MDP15N60GTH , IRFB31N20D , MDP1723TH , MDP18N50BTH , MDP1901TH , MDP1921TH , MDP1922TH , MDP1923TH , MDP1930TH , MDP1932TH .

History: MDI5N40TH | BSP100 | BLF7G22L-130

 

 

 

 

↑ Back to Top
.