Справочник MOSFET. MDP16N50GTH

 

MDP16N50GTH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDP16N50GTH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 204.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 88.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 226 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для MDP16N50GTH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDP16N50GTH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1026K  magnachip
 mdf16n50gth mdp16n50gth.pdf pdf_icon

MDP16N50GTH

MDP16N50G / MDF16N50G N-Channel MOSFET 500V, 16.0 A, 0.35 General Description Features VDS = 500V These N-channel MOSFET are produced using advanced VDS = 550V @ Tjmax MagnaChips MOSFET Technology, which provides low on-ID = 16A @VGS = 10V state resistance, high switching performance and excellent RDS(ON) 0.35 @VGS = 10V quality. These devices are suitable d

 ..2. Size:288K  inchange semiconductor
 mdp16n50gth.pdf pdf_icon

MDP16N50GTH

isc N-Channel MOSFET Transistor MDP16N50GTHFEATURESDrain Current : I = 16A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.35(Max) @V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand sol

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AUIRF3808S | LND16N65

 

 
Back to Top

 


 
.